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高性能纯红光钙钛矿LED成功制备 | 科技前线
2025-05-09 12:26  浏览:92  搜索引擎搜索“手机展会网”
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近日,中国科学技术大学通过给发光二极管(LED)“拍片子”(),找到了纯红光钙钛矿LED性能瓶颈的原因,并成功制备出高性能纯红光钙钛矿LED。


▲钙钛矿三维异质结抑制LED中空穴泄漏示意图

纯红光钙钛矿LED作为三基色之一的光源,在未来高清显示领域极具潜力,但目前存在亮度与效率难以兼顾等研究难点。

针对纯红光钙钛矿LED亮度提高时效率骤降的问题,研究团队自主研发了给LED“拍片子”的“黑科技”——电激发瞬态吸收光谱技术(EETA),探测LED内部的电子(负电)和空穴(正电),发现空穴泄漏到电子传输层是纯红光钙钛矿LED性能瓶颈的原因。

EETA结果指出,更好地限域空穴、抑制其泄漏,是实现高性能纯红光钙钛矿LED的关键。

研究团队提出了一种全新的三维钙钛矿异质结设计方法,在钙钛矿晶格内部插入有机分子,改变发光层晶体结构,构建了阻拦空穴离开发光层的“水坝”——“宽带隙能垒”,在实现载流子限域的同时,保持高迁移率。

研究团队对这一创新型设计进行了理论结构分析,并利用球差电镜充分验证了这一材料。


▲三维钙钛矿异质结的设计与材料表征

基于“三维钙钛矿异质结”创造的纯红光钙钛矿LED,具有国际领先水平的高性能:峰值外量子效率达到24.2%,与顶级OLED水平相当;最大亮度为24600cd/m2,相比之前报道的纯红光三维钙钛矿LED提升了三倍;器件还展现出非常低的效率滚降(发光器件在保持高亮度时,发光效率急剧下降),亮度为22670cd/m2时,器件依然具有超过10%的峰值外量子效率。

该三维钙钛矿异质结材料在发展高效、明亮且稳定的钙钛矿LED方面具有巨大潜力。

论文链接:

https://www.nature.com/articles/s41586-025-08867-6

来源:中国科学技术大学

责任编辑:王颖


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